利用纳米银烧结工艺制备大功率LED，重点探究了纳米银键合层的界面热阻及器件发光性能。通过将纳米银膏在不同温度下烧结，系统地研究了烧结温度对纳米银烧结后电阻率及接头剪切强度的影响，并分析了烧结后银膏的晶体结构及接头断口微观形貌。结果表明，接头键合强度和银膜导电率均随纳米银烧结温度的升高而增大。实验中还对比分析了纳米银烧结LED和传统锡银铜（SAC305）焊膏封装LED的界面热阻、结温以及发光性能。与纳米银烧结LED样品相比，传统焊膏封装LED的界面热阻和结温分别提高了8.9%和29.6%，说明纳米银键合层拥有更好的导热性并可及时为芯片散热降温。此外，通过高温老化实验，深入探讨了不同焊膏烧结LED的界面热阻及发光效率变化。实验表明，经过100 ℃下点亮500 h，纳米银和传统焊膏烧结LED样品的总热阻分别增大了0.03 K/W和4.28 K/W，但纳米银键合层界面热阻比老化前有所降低，同时纳米银烧结LED样品在不同电流下的发光效率始终高于传统焊膏封装LED样品。

近年来半导体材料主要朝两个方向发展：一方面是材料工程，即通过不断探索扩展新的半导体材料实现；另一方面是能带工程，即通过改变已知材料的维度进而实现能带的调节。准零维半导体量子点就是通过改变其尺寸调控能带的典型代表。主要论述了准零维量子点激光器发展过程中遇到的一些瓶颈问题。

介绍了几种利用复合技术提高光子晶体LED出光效率的方法。利用复合技术在LED上形成光子晶体结构和微腔结构、全方位反射镜、图形化衬底、AlGaN限制层或嵌入式光子晶体层复合的结构，可以改变LED的发光光路与内部导波模式分布，有效地提高光子晶体LED的发光效率。以五种复合结构为例进行分析，通过实验制备和时域有限差分(FDTD)模拟仿真，证实了与传统LED结构相比，经过适当优化参数配置，具有复合结构的LED比只具有表面光子晶体的LED结构出光效率有显著提高。

We report on the lasing characteristics of a two-color InAs/InP quantum dots (QDs) laser at a low temperature. Two lasing peaks with a tunable gap are simultaneously observed. At a low temperature of 80 K, a tunable range greater than a 20-nm wavelength is demonstrated by varying the injection current from 30 to 500 mA. Under a special condition, we even observe three lasing peaks, which are in contrast to those observed at room temperature. The temperature coefficient of the lasing wavelength was obtained for the two colors in the 80-280 K temperature range, which is lower than that of the reference quantum well (QW) laser working in the same wavelength region.